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主要特性

CPU  
-     RISC內(nèi)核，支持66條指令
-     支持8級(jí)硬件堆棧
-     指令周期可配置為2T/4T/8T/16T
-     復(fù)位向量位于000H
-     支持6種中斷源，兩級(jí)中斷優(yōu)先級(jí)可設(shè)。高優(yōu)先級(jí)中斷向量入口地址為018h，低優(yōu)先級(jí)中斷向量入口地址為008h
-     支持直接與間接數(shù)據(jù)尋址方式
-     程序存儲(chǔ)器MTP ROM：2K*16bit，可重復(fù)燒寫(xiě)100次
-     數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器SRAM：256*8bit

 I/O口
-     13個(gè)雙向I/O端口，帶SMIT輸入，可配置為漏極開(kāi)路、內(nèi)置上拉電阻及下拉電阻
-     1個(gè)單向輸入端口，復(fù)用觸摸采樣電容端口CMOD
-     所有IO口具備電平變化喚醒功能
-     P10與P11可配置為并聯(lián)大電流口，一起具有90mA拉電流，300mA灌電流能力
-     1個(gè)4檔大電流可設(shè)輸出口(P03)
·     15mA/30mA/75mA/105mA拉電流
·     30mA/60mA/120mA/180mA灌電流
·     P04配置為并聯(lián)P03輸出PWM4時(shí)，P04自動(dòng)切換為具有45mA拉電流，150mA灌電流能力，并聯(lián)一起具有最大150mA拉電流，330mA灌電流能力

電容式觸摸感應(yīng)模塊
-    觸控模塊內(nèi)部集成2.3V的LDO，并采用電荷分享方式實(shí)現(xiàn)觸摸檢測(cè)，具有很高的可靠性和抗干擾能力
-    可設(shè)置12路觸摸輸入

ADC
-    12位SAR ADC
-    5路外部輸入通道（ADC0 ~ ADC4），2路內(nèi)部特殊通道（內(nèi)部VDD/4、內(nèi)部GND）
-    3種參考電壓可選： VDD、外部參考電壓VREF、內(nèi)部基準(zhǔn)電壓2.048V
-    具備初始失調(diào)校準(zhǔn)功能

定時(shí)器
-    Timer0
    自動(dòng)裝載8位定時(shí)器，支持預(yù)分頻功能
    1路獨(dú)立的PWM4，可通過(guò)OPTION配置為P04、P03并聯(lián)輸出以增大PWM驅(qū)動(dòng)能力
-    Timer1
    自動(dòng)裝載10位定時(shí)器，支持預(yù)分頻功能
    中斷上報(bào)溢出次數(shù)可設(shè)
    4路獨(dú)立的PWM(PWM0~PWM3)

CPU保護(hù)系統(tǒng)及工作模式
-    3種系統(tǒng)復(fù)位方式：
·           上電復(fù)位(POR)
·           低壓復(fù)位(LVR)
·           看門(mén)狗(WDT)溢出復(fù)位
-    支持3種工作模式
·           Normal模式：正常工作模式
·           STOP模式：低功耗模式，CPU停止工作，外設(shè)停止工作
            喚醒方式：外部中斷、輸入IO電平變化、WDT溢出
·           IDLE模式：僅CPU停止工作，其它外設(shè)可以工作
            喚醒方式：所有中斷、輸入IO電平變化、WDT溢出
-    內(nèi)嵌LVR功能，復(fù)位閾值可選為： 2.0V、2.2V、2.4V、2.7V、2.9V、3.1V、3.3V、3.6V（誤差±1%）
-    內(nèi)嵌LVD功能，檢測(cè)閾值可選為： 2.3V、2.5V、2.9V、4.3V （誤差±1%）
-    內(nèi)嵌WDT，支持預(yù)分頻功能。4檔WDT溢出時(shí)間可選：4.5ms、18ms、144ms、288ms

時(shí)鐘系統(tǒng)
-     內(nèi)部RC振蕩器
    頻率：16MHz      精度：±1.5%(typ)
    可程控修調(diào)2048級(jí)由PWM4端口輸出1.7MHz、2.4 MHz、3.0 MHz、3.3 MHz占空比為50%的方波用以適配加濕器的應(yīng)用需求
    內(nèi)部RC振蕩器  頻率：32KHz     精度：±15%(typ)

工作溫度范圍
-    -40℃ ~ +85℃

電壓工作范圍
-    2.7V~5.5V(ADC使能)
-    2.4V~5.5V(LDO ON)
-    2.2V~5.5V(LDO OFF)

抗干擾能力
-    HBM ESD：優(yōu)于4000V
-    EFT：優(yōu)于4kV @16MHz/2

封裝形式： SOP16
 

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